中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ(ReRAM)のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に向上することに成功
中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ(ReRAM)のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に増加させることに成功した。ReRAMはフラッシュメモリの1万倍も高速に書き換えが可能だが、多くの書き換えを繰り返すと、データを記憶するメモリセルが不良し、記憶したデータが破壊されると...
- 2015年05月21日
- 08:05
- 中央大学
中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ(ReRAM)のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に増加させることに成功した。ReRAMはフラッシュメモリの1万倍も高速に書き換えが可能だが、多くの書き換えを繰り返すと、データを記憶するメモリセルが不良し、記憶したデータが破壊されると...
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