【東芝デバイス&ストレージ】300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟を竣工

2024-5-23
東芝デバイス&ストレージ株式会社
300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟を竣工

 当社は本日、グループ会社である加賀東芝エレクトロニクス株式会社(石川県能美市)にて、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟、および新事務所棟の竣工式を行いました。今回竣工したのは新製造棟の第1期分です。装置の搬入を進め、2024年度下期より本格的な生産を開始予定です。第1期フル稼働時には、低耐圧MOSFET[注1]、IGBT[注2]を中心とするパワー半導体の生産能力[注3]を、本建設を決定した2021年度比で2.5倍に増強する計画です。また、第2期については、市場の動向を見ながら建設と稼働開始の時期を決定していきます。

 新製造棟は、地震の揺れを吸収する免震構造の採用や電源の2重化などを通じてBCP(事業継続計画)を強化するとともに、再生可能エネルギー由来の電力活用や、屋上への太陽光発電設備(オンサイトPPAモデル)設置などにより、使用する電力を100%再生可能エネルギー由来でまかないます。また、人工知能(AI)活用などを通じて、製品品質および生産効率をより向上させます。設備投資の一部には、経済産業省から「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画(供給確保計画)」に基づく助成金の交付を受ける予定です。

 電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。当社は、加賀東芝エレクトロニクス既存棟において、2022年度下期より300mmウエハーを用いたパワー半導体を生産しています。新製造棟の稼働開始により、パワー半導体の生産能力をさらに拡大し、カーボンニュートラルの実現に貢献していきます。

[注1]MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):金属酸化膜半導体電界効果トランジスター
[注2]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):絶縁ゲートバイポーラートランジスター
[注3]200mmおよび300mmライン生産能力(200mmウエハー換算)


  右側が新製造棟、手前は新事務所棟

加賀東芝エレクトロニクス株式会社の概要
所在地:石川県能美市岩内町1番地1
設立:1984年12月
代表者:取締役社長 相田 聡
従業員数:1,150名 (2024年3月末時点)
生産品目:ディスクリート半導体(パワー半導体、小信号デバイス、オプトデバイス)
ホームページ: https://www.toshiba-kaga.co.jp/

以上

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
* 東芝デバイス&ストレージ株式会社は株式会社東芝の100%子会社です。

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この企業の情報

組織名
株式会社 東芝
ホームページ
https://www.global.toshiba/jp/top.html
代表者
島田 太郎
資本金
20,086,900 万円
上場
東証プライム
所在地
〒105-8001 東京都港区芝浦1丁目1-1
連絡先
03-3457-4511

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