株式会社ニコン（社長：馬立 稔和、東京都港区）は、ミドルクリティカルレイヤー向けのArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売します。スループットおよび装置の稼働安定性を向上させたことで、ニコンの半導体露光装置史上最高の生産性を実現し、様々な半導体デバイスの効率的な生産に貢献します。


発売概要
商品名　：ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」
発売時期：2024年2月

開発の背景
　アプリケーションの多様化に伴い、求められる半導体が多岐に渡る中、半導体の製造に欠かせない
露光装置に対するお客様の要望は複雑化・高度化しています。ニコンは、お客様との伴走活動を通じて、
これまでも最適なソリューションを提供してきましたが、多様化するお客様のニーズに今まで以上に応じるべく、新しいArF液浸スキャナーを開発し、ラインナップを拡充することとしました。
　今回開発した「NSR-S625E」は、これまで10年の販売実績を誇る「NSR-S622D」の後継機です。
スループットを約1.3倍向上させ、稼働安定性を大幅改善、加えて　iAS※1を搭載することで、様々な半導体の効率的な生産に寄与します。

　ニコンは、今後もお客様のニーズに最適な露光装置を提供することで、付加価値の高い半導体製造に
貢献していきます。

※1 inline Alignment Stationの略。露光装置のスループットを落とすことなく、高速・高精度にウェハを計測し、グリッドエラーの補正を可能にするシステム

主な性能
・解像度：≦38 nm
・NA (開口数)：1.35
・光源：ArFエキシマレーザー（波長: 193 nm）
・縮小倍率：1:4
・最大露光領域：26 mm x 33 mm
・重ね合わせ精度：SMO※2:≦1.7 nm、MMO※3:≦2.5 nm
・スループット：≧280 wafers/hour (96 shots)

※2 SMO (Single Machine Overlay)： 同一号機間の重ね合わせ精度（例 S625E #1 to S625E #1）
※3 MMO (Mix and Match Overlay)： 同一機種間の重ね合わせ精度（例 S625E #1 to S625E #2）